LQW2BASR82J00L — Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току

Код товара: 337562

LQW2BASR82J00L (2BASR82J00L) — Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току.

Основные характеристики

Технические характеристики

Производитель: MURATA

Сокращённое наименование: Не указано

Описание: Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току

Описание (ENG): Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 820nH 5% 25MHz 23Q-Factor Ceramic 180mA 2.35Ohm DCR 0805 T/R

Корпус: 0805

Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)

Количество в упаковке: 2000

Единица товара: 1

Единица измерения: шт

Вес брутто: 0.06 кг

Температура: Не указана

Примечание: 820nH 180mA

Количество в пути: 0 шт.

Дата и время обновления: 12.09.2025 02:28

Классы: Индуктивные компоненты > Дроссели, индуктивности > Индуктивности и дроссели SMD-исполнения