Купить FF100R12RT4HOSA1 INF оптом в Москве

Даташит

Запросить ценовое предложение

Товар: FF100R12RT4HOSA1 (ID: 139729)
Количество:
Email:
  • Если нужного товара нет на складе или требуется большее количество — мы поставим его под заказ.
  • Направляйте заявки на info@vm-sfera.ru, Telegram или WhatsApp — наши специалисты подберут оптимальные условия и сроки.
  • Мы работаем только с юридическими лицами. Оплата — безналичным расчётом. Минимальную сумму заказа уточняйте у менеджеров.
  • Доставка по Москве и России: условия и сроки уточняйте у менеджеров.

FF100R12RT4HOSA1 — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

Код товара: 139729

FF100R12RT4HOSA1 (100R12RT4HOSA1) — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт.

Цена от: 5 501,62 руб.

Купить FF100R12RT4HOSA1 оптом или в розницу в Москве, доставка по России.

Основные характеристики

Технические характеристики

ПроизводительINF
ОписаниеБиполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
Описание (ENG)IGBT module, Trench-IGBT 4, 1200V, 100A, dual, 555W
КорпусAG-34MM
Тип упаковкиPaper Box
Количество в упаковке10
Единица товара1
Единица измеренияшт
Вес брутто189.5 г.
Примечаниебез крепежа
Дата и время обновления05.11.2025 16:03
КлассыТранзисторы > IGBT (БТИЗ) транзисторы > Силовые модули IGBT

В наличии

Доставка и оплата

Купить FF100R12RT4HOSA1 оптом или в розницу в Москве, доставка по России. Цена от 5 501,62 руб.. Условия оплаты и доставки уточняйте у менеджеров.

Цена от: 5 501,62 руб.

Оптовый склад ВМ-Сфера

Срок: В наличии
Срок комплектации: 2–7 дней ?
Наличие: 29 шт.
Мин: 1 шт.
СтупеньЦена
1+ 6 316,63 ₽
2+ 6 029,30 ₽
3+ 5 817,55 ₽
4+ 5 649,47 ₽
8+ 5 501,62 ₽
Стоимость: 0 ₽

Поставка с внешнего склада

Срок доставки: 7–12 дней ?
Наличие: 30 шт.
Мин: 2 шт.
СтупеньЦена
2+ 8 223,42 ₽
3+ 7 735,62 ₽
30+ 7 596,24 ₽
Стоимость: 0 ₽
Итого по всем складам: 0 ₽