Купить FF200R12KE3HOSA1 INF оптом в Москве

Даташит

Запросить ценовое предложение

Товар: FF200R12KE3HOSA1 (ID: 139962)
Количество:
Email:
  • Если нужного товара нет на складе или требуется большее количество — мы поставим его под заказ.
  • Направляйте заявки на info@vm-sfera.ru, Telegram или WhatsApp — наши специалисты подберут оптимальные условия и сроки.
  • Мы работаем только с юридическими лицами. Оплата — безналичным расчётом. Минимальную сумму заказа уточняйте у менеджеров.
  • Доставка по Москве и России: условия и сроки уточняйте у менеджеров.

FF200R12KE3HOSA1 — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт

Код товара: 139962

FF200R12KE3HOSA1 (200R12KE3HOSA1) — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт.

Цена от: 13 075,52 руб.

Купить FF200R12KE3HOSA1 оптом или в розницу в Москве, доставка по России.

Основные характеристики

Технические характеристики

ПроизводительINF
ОписаниеБиполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
Описание (ENG)IGBT-модуль, Trench-IGBT 3, 1200В, 200А, сдвоенный
Корпус62 mm
Тип упаковкиPaper Box
Количество в упаковке10
Единица товара1
Единица измеренияшт
Вес брутто365 г.
Количество в пути4 шт.
Дата и время обновления12.01.2026 03:22
КлассыТранзисторы > IGBT (БТИЗ) транзисторы > Силовые модули IGBT

В наличии

Доставка и оплата

Купить FF200R12KE3HOSA1 оптом или в розницу в Москве, доставка по России. Цена от 13 075,52 руб.. Условия оплаты и доставки уточняйте у менеджеров.

Цена от: 13 075,52 руб.

Поставка с внешнего склада

Срок доставки: 28–33 дней ?
Наличие: 50 шт.
Мин: 10 шт.
СтупеньЦена
10+ 13 545,96 ₽
50+ 13 306,21 ₽
Стоимость: 0 ₽
Срок доставки: 7–12 дней ?
Наличие: 4 шт.
Мин: 1 шт.
СтупеньЦена
1+ 13 413,68 ₽
4+ 13 075,52 ₽
Стоимость: 0 ₽
Срок доставки: 25–30 дней ?
Наличие: 13 шт.
Мин: 1 шт.
СтупеньЦена
1+ 18 064,30 ₽
2+ 17 608,90 ₽
7+ 17 153,50 ₽
Стоимость: 0 ₽
Итого по всем складам: 0 ₽