Купить FF150R12RT4HOSA1 INF оптом в Москве

Даташит

Запросить ценовое предложение

Товар: FF150R12RT4HOSA1 (ID: 139799)
Количество:
Email:
  • Если нужного товара нет на складе или требуется большее количество — мы поставим его под заказ.
  • Направляйте заявки на info@vm-sfera.ru, Telegram или WhatsApp — наши специалисты подберут оптимальные условия и сроки.
  • Мы работаем только с юридическими лицами. Оплата — безналичным расчётом. Минимальную сумму заказа уточняйте у менеджеров.
  • Доставка по Москве и России: условия и сроки уточняйте у менеджеров.

FF150R12RT4HOSA1 — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

Код товара: 139799

FF150R12RT4HOSA1 (150R12RT4HOSA1) — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт.

Цена от: 5 811,59 руб.

Купить FF150R12RT4HOSA1 оптом или в розницу в Москве, доставка по России.

Основные характеристики

Технические характеристики

ПроизводительINF
ОписаниеБиполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Описание (ENG)IGBT Module N-CH 1200V 150A 790 W Tray
Корпус34 mm
Тип упаковкиTray (палетта)
Количество в упаковке10
Единица товара1
Единица измеренияшт
Вес брутто182.2 г.
Дата и время обновления06.11.2025 03:24
КлассыТранзисторы > IGBT (БТИЗ) транзисторы > Силовые модули IGBT

В наличии

Доставка и оплата

Купить FF150R12RT4HOSA1 оптом или в розницу в Москве, доставка по России. Цена от 5 811,59 руб.. Условия оплаты и доставки уточняйте у менеджеров.

Цена от: 5 811,59 руб.

Оптовый склад ВМ-Сфера

Срок: В наличии
Срок комплектации: 2–7 дней ?
Наличие: 220 шт.
Мин: 1 шт.
СтупеньЦена
1+ 6 512,25 ₽
2+ 6 257,82 ₽
4+ 6 060,14 ₽
10+ 5 927,91 ₽
20+ 5 811,59 ₽
Стоимость: 0 ₽
Срок: В наличии
Срок комплектации: 2–7 дней ?
Наличие: 6 шт.
Мин: 1 шт.
СтупеньЦена
1+ 6 512,25 ₽
2+ 6 257,82 ₽
4+ 6 060,14 ₽
10+ 5 927,91 ₽
20+ 5 811,59 ₽
Стоимость: 0 ₽
Срок: В наличии
Срок комплектации: 2–7 дней ?
Наличие: 3 шт.
Мин: 1 шт.
СтупеньЦена
1+ 6 512,25 ₽
2+ 6 257,82 ₽
4+ 6 060,14 ₽
10+ 5 927,91 ₽
20+ 5 811,59 ₽
Стоимость: 0 ₽
Итого по всем складам: 0 ₽