Код товара: 201331
HGT1S10N120BNST (1S10N120BNST) — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт.
Цена от: Товар закончился. Условия и сроки поставки уточняйте у наших специалистов: info@vm-sfera.ru
Купить HGT1S10N120BNST оптом или в розницу в Москве, доставка по России.
| Производитель | ONS |
|---|---|
| Описание | Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт |
| Описание (ENG) | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| Корпус | TO-263AB |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Количество в упаковке | 800 |
| Единица товара | 1 |
| Единица измерения | шт |
| Дата и время обновления | 10.11.2025 03:59 |
| Классы | Транзисторы > IGBT (БТИЗ) транзисторы > Одиночные IGBT транзисторы |
Купить HGT1S10N120BNST оптом или в розницу в Москве, доставка по России. Цена от Товар закончился. Условия и сроки поставки уточняйте у наших специалистов: info@vm-sfera.ru. Условия оплаты и доставки уточняйте у менеджеров.