Купить HGT1S10N120BNST ONS оптом в Москве

Даташит

Запросить ценовое предложение

Товар: HGT1S10N120BNST (ID: 201331)
Количество:
Email:
  • Если нужного товара нет на складе или требуется большее количество — мы поставим его под заказ.
  • Направляйте заявки на info@vm-sfera.ru, Telegram или WhatsApp — наши специалисты подберут оптимальные условия и сроки.
  • Мы работаем только с юридическими лицами. Оплата — безналичным расчётом. Минимальную сумму заказа уточняйте у менеджеров.
  • Доставка по Москве и России: условия и сроки уточняйте у менеджеров.

HGT1S10N120BNST — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт

Код товара: 201331

HGT1S10N120BNST (1S10N120BNST) — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт.

Цена от: Товар закончился. Условия и сроки поставки уточняйте у наших специалистов: info@vm-sfera.ru

Купить HGT1S10N120BNST оптом или в розницу в Москве, доставка по России.

Основные характеристики

Технические характеристики

ПроизводительONS
ОписаниеБиполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Описание (ENG)IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
КорпусTO-263AB
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Количество в упаковке800
Единица товара1
Единица измеренияшт
Дата и время обновления10.11.2025 03:59
КлассыТранзисторы > IGBT (БТИЗ) транзисторы > Одиночные IGBT транзисторы

Доставка и оплата

Купить HGT1S10N120BNST оптом или в розницу в Москве, доставка по России. Цена от Товар закончился. Условия и сроки поставки уточняйте у наших специалистов: info@vm-sfera.ru. Условия оплаты и доставки уточняйте у менеджеров.

Цена от: Товар закончился. Условия и сроки поставки уточняйте у наших специалистов: info@vm-sfera.ru

Цены и наличие отсутствуют. Свяжитесь с нами: info@vm-sfera.ru