HGTD1N120BNS9A - ONS

Даташит

Запросить ценовое предложение

Товар: HGTD1N120BNS9A (ID: 201333)
Количество:
Email:
  • Если нужного товара нет на складе или требуется большее количество — мы поставим его под заказ.
  • Направляйте заявки на info@vm-sfera.ru, Telegram или WhatsApp — наши специалисты подберут оптимальные условия и сроки.
  • Мы работаем только с юридическими лицами. Оплата — безналичным расчётом. Минимальную сумму заказа уточняйте у менеджеров.

HGTD1N120BNS9A — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт

Код товара: 201333

HGTD1N120BNS9A (1N120BNS9A) — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт.

Основные характеристики

Технические характеристики

Производитель: ONS

Сокращённое наименование: Не указано

Описание: Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт

Описание (ENG): IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Корпус: TO-252AA

Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)

Количество в упаковке: 2500

Единица товара: 1

Единица измерения: шт

Вес брутто: Не указан

Температура: Не указана

Примечание: Не указано

Количество в пути: 0 шт.

Дата и время обновления: 10.09.2025 01:59

Классы: Транзисторы > IGBT (БТИЗ) транзисторы > Одиночные IGBT транзисторы

Цена от: 119,04 руб.

Внешний логистический центр

Срок доставки: 27–32 дней ?
В течение указанного срока товар отгружается с внешнего склада, проходит проверку и комплектацию и доставляется в Москву для последующей отгрузки покупателю. Срок поставки ориентировочный, но более чем в 99% случаев фактические сроки соответствуют заявленным.
Наличие: 2 500 шт.
Мин: 64 шт.
СтупеньЦена
64+ 145,38 ₽
94+ 125,34 ₽
187+ 122,22 ₽
931+ 119,04 ₽
Стоимость: 0 ₽
Итого по всем складам: 0 ₽