Купить HGTP10N120BN ONS оптом в Москве

Даташит

Запросить ценовое предложение

Товар: HGTP10N120BN (ID: 201335)
Количество:
Email:
  • Если нужного товара нет на складе или требуется большее количество — мы поставим его под заказ.
  • Направляйте заявки на info@vm-sfera.ru, Telegram или WhatsApp — наши специалисты подберут оптимальные условия и сроки.
  • Мы работаем только с юридическими лицами. Оплата — безналичным расчётом. Минимальную сумму заказа уточняйте у менеджеров.
  • Доставка по Москве и России: условия и сроки уточняйте у менеджеров.

HGTP10N120BN — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт

Код товара: 201335

HGTP10N120BN (10N120BN) — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт.

Цена от: 500,82 руб.

Купить HGTP10N120BN оптом или в розницу в Москве, доставка по России.

Основные характеристики

Технические характеристики

ПроизводительONS
ОписаниеБиполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Описание (ENG)IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
КорпусTO-220AB
Тип упаковкиTube (туба)
Количество в упаковке50
Единица товара1
Единица измеренияшт
Вес брутто3.06 г.
Дата и время обновления06.11.2025 03:31
КлассыТранзисторы > IGBT (БТИЗ) транзисторы > Одиночные IGBT транзисторы

В наличии

Доставка и оплата

Купить HGTP10N120BN оптом или в розницу в Москве, доставка по России. Цена от 500,82 руб.. Условия оплаты и доставки уточняйте у менеджеров.

Цена от: 500,82 руб.

Поставка с внешнего склада

Срок доставки: 25–30 дней ?
Наличие: 50 шт.
Мин: 15 шт.
СтупеньЦена
15+ 595,74 ₽
22+ 513,72 ₽
44+ 500,82 ₽
Стоимость: 0 ₽
Итого по всем складам: 0 ₽