LQW18AN8N2D00D — Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

Код товара: 213648

LQW18AN8N2D00D (18AN8N2D00D) — Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току.

Основные характеристики

Технические характеристики

Производитель: MURATA

Сокращённое наименование: Не указано

Описание: Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

Описание (ENG): Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T

Корпус: 0603

Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)

Количество в упаковке: 4000

Единица товара: 1

Единица измерения: шт

Вес брутто: 0.04 кг

Температура: Не указана

Примечание: 8.2nH 650mA

Количество в пути: 0 шт.

Дата и время обновления: 12.09.2025 13:13

Классы: Индуктивные компоненты > Дроссели, индуктивности > Индуктивности и дроссели SMD-исполнения